发明名称 半导体单元
摘要 本发明提供了一种半导体单元,其包括:绝缘层;传导层,接合至绝缘层的一侧;半导体装置,安装在传导层上;冷却器,热耦合至绝缘层的另一侧;第一汇流排,具有接合至半导体装置或传导层的接合表面以及作为第一汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面;以及第二汇流排,具有接合至半导体装置或传导层的接合表面以及作为第二汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面。第二汇流排的接合表面的面积与非接合表面的面积之比大于第一汇流排的接合表面的面积与非接合表面的面积之比。第二汇流排的电阻低于第一汇流排的电阻。
申请公布号 CN103579138A 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201310328644.9 申请日期 2013.07.31
申请人 株式会社丰田自动织机 发明人 西槙介;森昌吾;音部优里;加藤直毅
分类号 H01L23/34(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L23/34(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 朱胜;穆云丽
主权项 一种半导体单元,包括:绝缘层;传导层,接合至所述绝缘层的一侧;半导体装置,安装在所述传导层上;冷却器,热耦合至所述绝缘层的另一侧;第一汇流排,具有接合至所述半导体装置或所述传导层的接合表面以及作为所述第一汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面;以及第二汇流排,具有接合至所述半导体装置或所述传导层的接合表面以及作为所述第二汇流排的除了接合表面外的部分的非接合表面,所述第二汇流排的接合表面的面积与非接合表面的面积之比大于所述第一汇流排的接合表面的面积与非接合表面的面积之比,其特征在于,所述第二汇流排的电阻低于所述第一汇流排的电阻。
地址 日本爱知县刈谷市