集成电路制作过程中冗余金属填充的方法及半导体器件

摘要

本发明公开了一种集成电路制作过程中冗余金属填充的方法，涉及半导体器件技术领域，能够减小因冗余金属填充带来的耦合电容的影响，该方法包括：在包含介质层的半导体基片上分别形成互连线沟槽和冗余金属沟槽，所述冗余金属沟槽的深度小于所述互连线沟槽的深度；对所述互连线沟槽和所述冗余金属沟槽进行电镀并对电镀表面进行平坦化处理，形成厚度小于互连线金属厚度的冗余金属。本发明还公开一种半导体器件，所述半导体器件包括多层互连结构，每层所述互连结构包括介质层和在所述介质层上制成的互连线金属和冗余金属，其中，所述冗余金属厚度小于所述互连线金属厚度。本发明用于集成电路制作。

主权项

一种集成电路制作过程中冗余金属填充的方法，其特征在于，该方法包括:在包含介质层的半导体基片上分别形成互连线沟槽和冗余金属沟槽，所述冗余金属沟槽的深度小于所述互连线沟槽的深度;以及对所述互连线沟槽和所述冗余金属沟槽进行电镀并对电镀表面进行平坦化处理，形成厚度小于互连线金属厚度的冗余金属;其中，所述在包含介质层的半导体基片上分别形成互连线沟槽和冗余金属沟槽，所述冗余金属沟槽的深度小于所述互连线沟槽的深度，包括:在包含介质层的半导体基片上按照互连线图形形成互连线沟槽;以及在形成所述互连线沟槽的半导体基片上确定冗余金属对应的位置，形成深度小于所述互连线沟槽深度的冗余金属沟槽;其中:所述在包含介质层的半导体基片上按照互连线图形形成互连线沟槽，包括:在包含介质层的半导体基片上沉积阻挡层，平坦化所述阻挡层以涂覆光刻胶层，并将互连线图形转移至所述光刻胶层，在所述光刻胶有互连线图形的位置处形成开口;以及以互连线图形位置处形成开口的所述光刻胶层为掩膜，在所述半导体基片上所述开口对应的位置处形成互连线沟槽;所述在形成所述互连线沟槽的半导体基片上确定冗余金属对应的位置，形成深度小于所述互连线沟槽深度的冗余金属沟槽，具体为:在所述互连线沟槽内填充底部阻挡层，平坦化所述底部阻挡层的表面以涂覆光刻胶层，并在所述光刻胶层冗余金属对应的位置处形成开口;以冗余金属位置处形成开口的所述光刻胶层为掩膜，在所述半导体基片上所述开口对应的位置处形成深度小于所述互连线沟槽深度的冗余金属沟槽;其中:所述以冗余金属位置处形成开口的所述光刻胶层为掩膜，在所述半导体基片上所述开口对应的位置处形成深度小于所述互连线沟槽深度的冗余金属沟槽，包括:以冗余金属位置处形成开口的所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述开口对应的所述底部阻挡层 和所述半导体基片的所述介质层，形成深度小于所述互连线沟槽深度的冗余金属沟槽原型;以及去除所述半导体基片上的所述光刻胶层和所述底部阻挡层，形成深度小于所述互连线沟槽深度的冗余金属沟槽;所述对所述互连线沟槽和所述冗余金属沟槽进行电镀并对电镀表面进行平坦化处理，形成厚度小于互连线金属厚度的冗余金属，包括:在所述互连线沟槽和所述冗余金属沟槽内电镀铜镀层，并采用化学机械抛光平坦化所述铜镀层的表面，形成厚度小于互连线金属厚度的冗余金属。