一种抗PID晶硅太阳能电池

摘要

本实用新型涉及一种抗PID晶硅太阳能电池，正表面为N型区，正表面的上表面覆盖均匀的减反射膜，减反射膜上设有金属银电极栅线，减反射膜与正表面之间还设置一层均匀的氧化膜，N型区的下方设置P型硅片基底，该硅片基底的下方为铝背场及底银电极。与现有技术相比，本实用新型在加负偏压1000V，温度为85±2℃，湿度为85％±5％的测试条件下，持续42小时，组件的功率损失小于1％，且EL测试未发现发黑现象，表现出抗PID效果。

主权项

一种抗PID晶硅太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池受光的正表面为N型区，所述的正表面的上表面覆盖均匀的减反射膜，所述的减反射膜上设有金属银电极栅线，减反射膜与正表面之间还设置一层均匀的氧化膜，N型区的下方设置P型硅片基底，该硅片基底的下方为铝背场及底银电极。