一种制作超结MOSFET的方法

摘要

本发明实施例提供了一种制作超结MOSFET的方法，用以解决现有技术中制作超结MOSFET工艺繁琐的问题。该方法包括：向刻蚀有窗口的掩膜层注入P型离子并驱入，在掩膜层下的N型硅外延层中形成P型硅体区；在与掩膜层上窗口的对应位置刻蚀出沟槽，沟槽穿透P型硅体区到达N型外延层中；在沟槽中外延掺入P型杂质的硅材料直至沟槽被填满，恢复被刻蚀掉的P型硅体区以及形成其下部的P型漂移区；去除掩膜层；在P型硅体区中形成两个N型硅源区；在去除掩膜层后的N型硅外延层上生长和刻蚀绝缘介质层，形成接触孔，在绝缘介质层上和接触孔中生长金属层，形成超结MOSFET的源极；在N型硅衬底上生长金属层形成超结MOSFET的漏极。

主权项

一种制作超结金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET的方法，其特征在于，包括：向刻蚀有窗口的掩膜层注入P型离子并驱入，在所述掩膜层下的N型硅外延层中形成P型硅体区；在与所述掩膜层上窗口的对应位置刻蚀出沟槽，所述沟槽穿透所述P型硅体区到达N型外延层中；在所述沟槽中外延掺入P型杂质的硅材料直至沟槽被填满，恢复被刻蚀掉的P型硅体区以及形成P型硅体区下部的P型漂移区；去除所述掩膜层；在P型硅体区中形成两个N型硅源区；在去除掩膜层后的N型硅外延层上生长和刻蚀绝缘介质层，形成接触孔，在所述绝缘介质层上和接触孔中生长金属层，形成超结MOSFET的源极；在N型硅衬底上生长金属层形成超结MOSFET的漏极。