发明名称 | 聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备方法,该方法包括以下步骤:根据专利ZL200710134575.2的方法获得聚合物I填充石英纤维空隙的复合结构;将上述结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微结构阵列的聚合物I微结构;在上述中空微结构阵列中填充聚合物II;去除聚合物I,获得聚合物II的微米/亚微米线阵列结构。其中,聚合物I为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、松香等可在常温下被有机溶剂溶解的聚合物;聚合物II为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、聚二甲基硅氧烷等聚合物。本发明方法新颖,获得的微结构可在光电等领域获得应用。 | ||
申请公布号 | CN103569957A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
申请号 | CN201310562904.9 | 申请日期 | 2013.11.12 |
申请人 | 无锡英普林纳米科技有限公司 | 发明人 | 卢明辉 |
分类号 | B81C99/00(2010.01)I | 主分类号 | B81C99/00(2010.01)I |
代理机构 | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人 | 李媛媛 |
主权项 | 聚合物微米/亚微米线阵列结构的制备方法,其特征是,所述方法包括以下步骤:(1)根据专利ZL200710134575.2的方法获得聚合物I填充石英纤维空隙的复合结构;(2)将上述复合结构置于HF酸溶液中腐蚀去除石英纤维,形成存在中空微结构阵列的聚合物I微结构;(3)在上述中空微结构阵列中填充聚合物II;(4)去除聚合物I,获得聚合物II的微米/亚微米线阵列结构。 | ||
地址 | 214192 江苏省无锡市芙蓉中三路99号 |