一种硅基微腔激光器的制作方法

摘要

本发明公开了一种硅基微腔激光器的制作方法，包括以下步骤：在硅衬底正面，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；将外延有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，并先后分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；将高温砷化镓层表面抛光后外延激光器结构；在激光器结构上干法刻蚀形成微腔和输出波导；在形成微腔和输出波导后沉积二氧化硅层，在微腔上方开出电极窗口；在二氧化硅层和电极窗口上表面制作正电极，并做电极隔离；在硅衬底背面制作背电极，完成器件的制作。本发明提出的上述方法利用超高真空化学气相外延与MOCVD结合实现高质量的III-V族层，抛光和清洗实现清洁平整表面；干法刻蚀与湿法腐蚀实现光滑的微腔侧壁，减少激光器损耗。

主权项

一种硅基微腔激光器的制作方法，包括以下步骤:步骤1:在硅衬底正面，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；步骤2:将外延有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，并先后分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层;步骤3:将高温砷化镓层表面抛光后外延激光器结构;步骤4:在激光器结构上干法刻蚀形成微腔和输出波导;步骤5:在形成微腔和输出波导后沉积二氧化硅层，在微腔上方开出电极窗口;步骤6:在二氧化硅层和电极窗口上表面制作正电极，并做电极隔离;步骤7:在硅衬底背面制作背电极，完成器件的制作。