采用脉冲电镀铜方式实现铜互连的方法

摘要

本发明属于铜互连结构技术领域，具体为一种采用脉冲电镀铜方式实现铜互连的方法。本发明方法包括以下步骤：在半导体衬底上，使用等离子物理溅射法淀积介质层；使用物理溅射法溅射TaN作为扩散阻挡层，再溅射Ta作为粘附促进层；使用物理溅射法溅射铜籽晶层；将获得铜籽晶层的衬底切片成小矩形片；将所述小矩形片作为阴极，高纯度的铜棒作为阳极为进行脉冲电镀铜。其优点在于降低浓差极化，提高阴极电流密度和电镀效率，减少氢脆和镀层孔隙，提高纯度，改善镀层物理性能，所得镀层具有较好的防护性，能获得致密的低电阻率金属沉积层，具有更低的电阻率，抗电迁移能力。

主权项

一种采用脉冲电镀铜方式实现铜互连的方法，其特征在于具体步骤为：步骤A.在半导体衬底上，使用等离子物理溅射法淀积厚度为800~1000 nm的二氧化硅，作为介质层；步骤B.使用物理溅射法溅射厚度为10~20 nm 的TaN，作为扩散阻挡层；再溅射厚度为10~20 nm 的Ta，作为粘附促进层；步骤C.使用物理溅射法溅射厚度为30~100 nm的铜籽晶层；步骤D.将获得铜籽晶层的半导体衬底切片成小矩形片；步骤E. 将所述小矩形片作为阴极，包裹一层过滤膜的高纯度的铜棒作为阳极，进行脉冲电镀铜。