一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管

摘要

本发明公开了一种晶体管，属于半导体器件领域，尤其是一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管。该晶体管包括衬底、氮化铝成核层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层、p型掺杂氮化镓、源极、漏极以及和p型掺杂氮化镓接触的栅极，其中源极和漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与p型掺杂氮化镓形成肖特基接触，其特征在于，它还包括一层位于氮化镓沟道层和氮化铝成核层之间的p-AlxGayN/n-AlxGayN/……/p-AlxGayN/n-AlxGayN复合缓冲层，简称pn结复合缓冲层，其中p-AlxGayN代表p型掺杂铝镓氮，n-AlxGayN代表n型掺杂铝镓氮，以抑制电子在缓冲层内的输运，降低器件缓冲层泄漏电流，提升器件击穿电压。

主权项

一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底(108)、氮化铝成核层(107)、氮化镓沟道层(109)、氮化铝插入层(106)、铝镓氮势垒层(105)、p型掺杂氮化镓(104)、源极(101)、漏极(102)以及和p型掺杂氮化镓(104)接触的栅极(103)；其中源极(101)和漏极(102)与铝镓氮势垒层(105)形成欧姆接触，栅极(103)与p型掺杂氮化镓(104)形成肖特基接触；其特征在于：它还包括一层位于氮化镓沟道层(109)和氮化铝成核层(107)之间的p‑AlxGayN/n‑AlxGayN/……/p‑AlxGayN/n‑AlxGayN复合缓冲层，简称pn结复合缓冲层(110)，其中p‑AlxGayN代表p型掺杂铝镓氮，n‑AlxGayN代表n型掺杂铝镓氮。