半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，包括：多个鳍片，位于衬底上并且沿第一方向延伸；多个栅极堆叠结构，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片；多个应力层，位于栅极堆叠结构两侧的鳍片中，并且在应力层中具有多个源漏区；多个沟道区，位于栅极堆叠结构下方的鳍片中；其特征在于，应力层在鳍片中具有连通部分并且沟道区包围该连通部分。依照本发明的FinFET及其制造方法，利用高应力硅化合金的立体源漏在硅鳍片内部融合贯通，形成沿硅鳍片表面的围绕立体源漏贯通区的环形立体应变沟道区，全方位增大了沟道区应力，有效提高了载流子迁移率，从而有效提高了器件驱动能力。

主权项

一种半导体器件，包括：多个鳍片，位于衬底上并且沿第一方向延伸；多个栅极堆叠结构，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片；多个应力层，位于栅极堆叠结构两侧的鳍片中，并且在应力层中具有多个源漏区；多个沟道区，位于栅极堆叠结构下方的鳍片中；其特征在于，应力层在鳍片中具有连通部分并且沟道区包围该连通部分。