发明名称 |
ESD保护 |
摘要 |
本发明公开了ESD保护。本公开的实施例涉及用于电子部件的两级保护装置,以保护防止瞬态干扰。瞬态干扰可以是电流或电压脉冲。瞬态干扰的示例是:静电放电(ESD)脉冲、与切换动作(接通和/或关断)相关的干扰。电子部件可以是半导体部件,并且可以包括一个或多个晶体管和/或集成电路。保护装置被连接至电子部件的至少第一接触部和第二接触部,并且被与要保护的部件基本上并联布置在第一接触部与第二接触部之间。保护装置包括具有至少一个二极管的至少一个第一级和通过至少一个电阻器与第一级分离的第二级。第二级包括至少一个二极管布置,所述至少一个二极管布置具有布置成阴极对阴极的至少两个背对背二极管。 |
申请公布号 |
CN103579224A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310318437.5 |
申请日期 |
2013.07.26 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
A.科布扎鲁;A.芬尼;U.格拉泽;G.盖勒罗;B-E.马泰;M.马耶霍费尔;M.默根斯 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
马永利;刘春元 |
主权项 |
一种用于电子部件的保护装置,用于防止瞬态干扰的保护,其中所述保护装置被电连接至电子部件的至少第一接触部和第二接触部,以及其中所述保护装置包括:‑‑ 第一级,其具有至少一个二极管,其中第一级被连接至至少一个端子;‑‑ 第二级,其通过至少一个电阻器与第一级分离,并且被直接连接至第一接触部和第二接触部,其中第二级是针对比第一级更小的电流而适配的,其中第二级具有包括两个背对背二极管的至少一个二极管布置,其中所述两个背对背二极管被布置成阴极对阴极,其中所述两个背对背二极管是布置成p‑n‑p配置的多晶硅二极管,以及其中所述两个背对背二极管包括第一p型区与第二p型区之间的浮动n型区。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |