一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面直接沉积SiC涂层的方法

摘要

本发明提供一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面直接沉积SiC涂层的方法，包括以下步骤：(1)以石墨发热体加热炉体作为沉积炉，将其抽真空，真空度达到10-1Pa以下；(2)将石墨发热体加热炉内温度升高至1000～1200℃；(3)以氢气为载气，通过鼓泡法把三氯甲基硅烷带入石墨发热体加热炉腔内，载气流量根据炉体尺寸调节，流量为200～800ml/min，同时以氩气作为稀释气体，其流量为200～800ml/min，保持加热炉腔内压力为3×103～105Pa，沉积20～50小时，冷却后，碳素材料表面出现SiC涂层。本发明具有制备过程不需要专用化学气相沉积设备，制备SiC涂层质量好，涂层厚度大且灵活可控。

主权项

一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面直接沉积SiC涂层的方法，其特征包括下述顺序的步骤：(1)以石墨发热体加热炉体作为沉积炉，将其抽真空，真空度达到10‑1Pa以下；(2)将石墨发热体加热炉内温度升高至1000～1200℃，升温速率为8～12℃每分钟；(3)以氢气为载气，通过鼓泡法把三氯甲基硅烷带入石墨发热体加热炉腔内，载气流量根据炉体尺寸调节，流量为200～800ml/min，同时以氩气作为稀释气体，其流量为200～800ml/min，保持加热炉腔内压力为3×103～105Pa，沉积20～50小时，冷却后，碳素材料表面出现SiC涂层。