制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的方法

摘要

本发明提供一种制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的新方法。为此，本公开的第1方式所涉及的制造方法包括如下工序，通过水膜(902)来保护芯片(811)的背面(811b)，同时使具有羟基的芯片(811)的表面(811a)接触使R1-Si(OR2)3或R1-SiY3溶解于第2疏水性溶剂(905a)而得到的有机溶液(905)，从而在芯片(811)的表面(811a)形成防水性的薄膜。

主权项

一种制造方法，制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片，所述制造方法包括如下工序：工序(a)，准备隔着蜡膜而在背面侧具备芯片的第1基板，并且所述芯片具备表面以及背面，所述芯片的所述表面与所述蜡膜相接，且所述芯片的所述背面是亲水性的；工序(b)，使所述芯片的所述背面与在表面具有水膜的第2基板接触，获得由所述第1基板以及所述第2基板构成的层叠体，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触；工序(c)，将所述层叠体浸渍在第1疏水性溶剂中，使所述蜡膜溶解于所述第1疏水性溶剂；工序(d)，去除所述第1基板，获得在表面附着了所述芯片的所述第2基板，并且所述芯片的所述背面与所述水膜接触，且所述芯片的所述表面露出；工序(e)，通过所述水膜保护所述芯片的所述背面，同时使具有羟基的所述芯片的所述表面接触有机溶液，该有机溶液是使R1‑Si(OR2)3或R1‑SiY3溶解于第2疏水性溶剂而得到的，从而在所述芯片的所述表面形成防水性的薄膜，其中所述R1表示烃基或氟化烃，所述R2表示烷氧基，且所述Y表示卤素；和工序(f)，去除所述第2基板，从而获得具有防水性表面以及亲水性背面的所述芯片。