SiC单晶、其制造方法、SiC晶片和半导体器件

摘要

当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11-20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11-20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11-20}面生长与{1-100}面生长的交替生长法。

主权项

一种制造SiC单晶的方法，具有如下构成：(a)所述制造SiC单晶的方法重复n(n≥2)次a面生长步骤；(b)第1a面生长步骤是通过使用具有第一生长面的第一籽晶在所述第一生长面上实施SiC单晶的a面生长的步骤，所述第一生长面自(0001)面的偏离角为80°～100°；(c)第k a面生长步骤(2≤k≤n)是如下步骤：从在第(k‑1)a面生长步骤中得到的第(k‑1)生长晶体切出具有第k生长面的第k籽晶，并在所述第k生长面上实施SiC单晶的a面生长，所述第k生长面的生长方向与第(k‑1)a面生长步骤的生长方向相差45°～135°、且自{0001}面的偏离角为80°～100°；(d)所述第k a面生长步骤(1≤k≤n)是如下步骤：在所述第k生长面上实施SiC单晶的a面生长，使得由等式(A)表示的Si面侧小面区域的面积率S小面保持在20%以下，S小面(%)=S1×100/S2    (A)其中S1为通过将Si面侧的极性面阶梯投影在第k生长面上而得到的面积的总面积与通过将夹在所述Si面侧的极性面阶梯之间的{1‑100}面小面投影在第k生长面上而得到的面积的总面积之和，且S2是所述第k生长面的总面积。