发明名称 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开有机发光二极管显示器及其制造方法。该有机发光二极管显示器包括:基板,在基板上形成的且传递扫描信号的扫描线,与扫描线交叉且分别传递数据信号和驱动电压的数据线和驱动电压线,与扫描线和数据线连接的开关薄膜晶体管,与开关薄膜晶体管和驱动电压线连接的驱动薄膜晶体管,以及与驱动薄膜晶体管连接的有机发光二极管。驱动薄膜晶体管包括:驱动半导体层,覆盖驱动半导体层的第一栅绝缘层,在第一栅绝缘层上形成的浮置栅电极,第二栅绝缘层,以及在第二栅绝缘层上形成的驱动栅电极。 | ||
申请公布号 | CN103578417A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
申请号 | CN201310178581.3 | 申请日期 | 2013.05.15 |
申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 尹柱元;李一正;任忠烈;权度县;高武恂;禹珉宇 |
分类号 | G09G3/32(2006.01)I | 主分类号 | G09G3/32(2006.01)I |
代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 于未茗;康泉 |
主权项 | 一种有机发光二极管显示器,包括:基板;扫描线,在所述基板上形成并且传递扫描信号;数据线和驱动电压线,与所述扫描线交叉并分别传递数据信号和驱动电压;与所述扫描线和所述数据线连接的开关薄膜晶体管;与所述开关薄膜晶体管和所述驱动电压线连接的驱动薄膜晶体管;以及与所述驱动薄膜晶体管连接的有机发光二极管;所述驱动薄膜晶体管包括:包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区的驱动半导体层,所述驱动沟道区介于所述驱动源区和所述驱动漏区之间;覆盖所述驱动半导体层的第一栅绝缘层;第一浮置栅电极,在所述第一栅绝缘层上形成且在与所述驱动沟道区对应的位置处形成;覆盖所述第一栅绝缘层和所述浮置栅电极的第二栅绝缘层;以及驱动栅电极,在所述第二栅绝缘层上形成且在与所述浮动栅电极对应的位置处形成。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |