| 发明名称 | 场效应晶体管的栅电极 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种场效应晶体管的栅电极。场效应晶体管的示例性结构包括衬底；栅电极，位于具有第一顶面和侧壁的衬底的上方；源极/漏极(S/D)区，至少部分设置在栅电极一侧的衬底中；间隔件，位于分布在栅电极和S/D区之间的侧壁上；以及接触蚀刻停止层(CESL)，紧邻间隔件且进一步包括在S/D区上方延伸的部分，其中，该部分的第二顶面与第一顶面基本共面。 | ||
| 申请公布号 | CN103579340A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201210468202.X | 申请日期 | 2012.11.19 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈能国;万幸仁;林奕安;张骏伟;孙诗平 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，包括：衬底；栅电极，位于所述衬底上方并具有第一顶面和侧壁；源极/漏极(S/D)区，至少部分设置在所述栅电极一侧的所述衬底中；间隔件，位于分布在所述栅电极和所述S/D区之间的所述侧壁上；以及接触蚀刻停止层(CESL)，紧邻所述间隔件且进一步包括在所述S/D区的上方延伸的一部分，其中，所述一部分的第二顶面与所述第一顶面基本共面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||