发明名称 |
使用下拉到调压的源极电压以移除系统噪声的非易失性存储器中的感测 |
摘要 |
下拉电路在诸如编程期间进行的验证操作的感测操作期间在非易失性存储器件中将位线电压拉至调压的源极电压。存储器件可包括NAND串和公共源极线,NAND串具有相关联的位线和感测组件。当NAND串的所选存储元件已经被编程为其预期状态时,位线在后续验证操作期间锁定,后续验证操作对于其他还未被锁定的NAND串进行。下拉设备耦接到每个位线并耦接到公共源极线,其电压被调节为正DC电平,以防止从被锁定的位线到还未锁定的位线的系统功率总线(Vss)噪声的耦合。 |
申请公布号 |
CN102057439B |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN200980121510.1 |
申请日期 |
2009.04.01 |
申请人 |
桑迪士克科技股份有限公司 |
发明人 |
浩·T·古延;梅文龙;李升弼;王琪铭 |
分类号 |
G11C16/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
黄小临 |
主权项 |
一种非易失性存储系统,包括:非易失性存储元件的集合(812);感测组件(800),其与所述非易失性存储元件的集合的感测节点(814)相关;源极(801),其与所述非易失性存储元件的集合相关;调压器(827),用于调压所述源极的电压电平;以及下拉电路(823),用于将所述感测节点拉至所述源极。 |
地址 |
美国得克萨斯州 |