一种具有优异力学性能的低介电常数薄膜的制备方法

摘要

本发明属于超大规模集成电路技术领域，具体涉及一种具有优异力学性能的超低介电常数薄膜的制备方法。本发明采用C58H118O21(Brij76)、甲基三乙氧基硅烷（MTES）、1,2-二（三乙氧基硅基）乙烷（BTEE）、HCl、乙醇（EtOH）和H2O为原料，制备溶胶-凝胶溶液，然后以旋涂方法形成薄膜，并通过老化工艺稳定孔结构，高温退火除去聚合物成分Brij76以形成孔洞结构，从而制备得低介电常数薄膜。本发明所采用的聚合物分子为Brij76，其分子量较小（为1150），从而成孔体积更小，有利于提升薄膜力学性能。所制备的薄膜材料，其低介电常数为2.2，杨氏模量为8.50GPa，硬度1.17GPa。

主权项

一种具有优异力学性能的低介电常数薄膜的制备方法，其特征在于：以Brij76为成孔剂，以MTES和BTEE为前驱体，在水溶液中经盐酸催化发生水解与缩合反应，形成溶胶；然后经旋涂成膜，通过老化工艺稳定孔结构，高温退火除去聚合物成分Brij76以形成孔洞结构，制备多孔低k薄膜；其中，Brij76为C58H118O21 ， MTES为甲基三乙氧基硅烷， BTEE为1,2‑二（三乙氧基硅基）乙烷，EtOH为乙醇。