发明名称 | 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法 | ||
摘要 | 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法。采用两组串联的金属钯复合膜氢气纯化器,对三氯氢硅还原循环氢气进行提纯处理,其中第一组金属钯复合膜氢气纯化器相对较大,提纯处理的超纯氢气(H2纯度>99.9999%)返回还原炉,用于三氯氢硅还原的原料气,而第二组氢气纯化器相对较小,提纯处理的高纯氢气(H2纯度-99.999%)去冷氢化工段作为原料气。该方法提纯处理循环氢气的回收率可以达到99%。当循环氢气中氯化氢含量较高时,需要采取必要的脱氯措施使得HCl含量降低到0.5ppm以下。利用该方法提纯的氢气生产多晶硅,可以明显提高多晶硅产品的纯度和质量,具有明显的节能减排效应。 | ||
申请公布号 | CN102328906B | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
申请号 | CN201110200460.5 | 申请日期 | 2011.07.18 |
申请人 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 发明人 | 徐恒泳;唐春华;孙剑;董恩宁;侯守福 |
分类号 | C01B3/56(2006.01)I | 主分类号 | C01B3/56(2006.01)I |
代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人 | 马驰 |
主权项 | 一种三氯氢硅还原生产多晶硅循环氢气提纯处理方法,应用于改良西门子法中循环氢气的提纯,改良西门子法多晶硅生产流程是采用干法回收三氯氢硅还原尾气中的氢气;其特征在于:采用两组串联的金属钯复合膜氢气纯化器,对经冷凝和干法分离工序回收的循环氢气进行提纯处理,第一组金属钯复合膜氢气纯化器提纯处理的超纯氢气返回还原炉,用于三氯氢硅还原的原料气,而第二组纯化器提纯处理的高纯氢气去冷氢化工段作为原料气;第一组氢气纯化器与第二组氢气纯化器的钯复合膜面积比为5至30;所述两组串联的金属钯复合膜氢气纯化器是将冷凝和干法分离工序回收的循环氢气与第一组金属钯复合膜氢气纯化器的入口相连通,第一组金属钯复合膜氢气纯化器的出口通过管路与改良西门子法多晶硅生产流程中还原炉的氢气入口相连,第一组金属钯复合膜氢气纯化器的的尾气出口与第二组金属钯复合膜氢气纯化器的入口相连通,第二组金属钯复合膜氢气纯化器的出口通过管路与改良西门子法多晶硅生产流程中冷氢化工段的氢气入口相连,第二组金属钯复合膜氢气纯化器的的尾气出口放空。 | ||
地址 | 116023 辽宁省大连市中山路457号 |