太阳电池阵用大面积硅旁路二极管

摘要

本实用新型涉及一种太阳电池阵用大面积硅旁路二极管，包括三角形P型硅衬底，衬底上面自下至上有磷扩散层和上电极，衬底下面自上至下有硼扩散层和下电极，磷扩散层周围的衬底有氧化环，其特点是：所述氧化环和衬底之间制有P+硼隔离环；所述上电极为Ti-Pd-Ag上电极系统；所述下电极为Al-Ti-Pd-Ag下电极系统。本实用新型采用了Ti-Pd-Ag上电极系统和Al-Ti-Pd-Ag下电极系统，大幅提高了电极的抗拉力强度，增强了电极的牢固度，具有电极不变形、不脱落的特点；采用了在氧化环保护下的P+硼隔离环，达到隔离反向漏电流的目的，使得反向漏电流小于1μA，具有可靠性高、稳定性好的特点。

主权项

太阳电池阵用大面积硅旁路二极管，包括三角形P型硅衬底，衬底上面自下至上有磷扩散层和上电极，衬底下面自上至下有硼扩散层和下电极，磷扩散层周围的衬底有氧化环，其特征在于：所述氧化环和衬底之间制有P+硼隔离环；所述上电极为Ti‑Pd‑Ag上电极系统；所述下电极为Al‑Ti‑Pd‑Ag下电极系统。