沟槽型栅极及制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型栅极，其是在传统的屏蔽栅处通过离子注入形成一个PN结，以获得更低的栅极电容，实现器件开关速度的提高和损耗的降低。本发明还公开了所述沟槽型栅极的制造方法。

主权项

一种沟槽型栅极，沟槽内包含栅极导电多晶硅及屏蔽栅多晶硅，其特征在于：在沟槽内壁下部及底部具有第一栅氧化层，第一栅氧化层半包裹屏蔽栅多晶硅，屏蔽栅多晶硅分为两层，包含位于下部的P型多晶硅，以及位于P型多晶硅之上的N型多晶硅，两层多晶硅互相接触形成PN结；在N型多晶硅之上及沟槽内壁上部具有第二栅氧化层，第二栅氧化层半包裹N型栅极导电多晶硅，将N型栅极导电多晶硅和屏蔽栅多晶硅隔离。