| 发明名称 | 氮化物基半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。在一种氮化物基半导体器件中，在氮化铝镓（AlGaN）层上形成未掺杂氮化镓（GaN）层，并且在未掺杂氮化镓层上形成硅氮化碳（SixC1-xN）功能层。 | ||
| 申请公布号 | CN103579331A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310305879.6 | 申请日期 | 2013.07.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李哉勋 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种氮化物基半导体器件，其包括：衬底；设置在所述衬底上的半绝缘氮化镓（GaN）层；设置在所述半绝缘GaN层上的氮化铝镓（AlGaN）层；设置在所述AlGaN层上的未掺杂GaN层；设置在所述未掺杂GaN层上的硅氮化碳（SixC1‑xN）功能层；以及设置在所述SixC1‑xN功能层上的第一氮化硅（SiNx）层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||