高压场平衡金属氧化物场效应晶体管

摘要

本发明为高压场平衡金属氧化物场效应晶体管。一种形成在半导体衬底中的半导体功率器件含有一个重掺杂区，在由重掺杂区承载的轻掺杂区上方的半导体衬底的顶面附近。该半导体功率器件还包括源极沟槽，在由导电沟槽填充材料填充的重掺杂区中打开，导电沟槽填充材料与顶面附近的源极区电接触。该半导体功率器件还包括沉积在源极沟槽下方的掩埋P-区，并用导电类型与重掺杂区相反的掺杂物掺杂。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

主权项

一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；沉积在半导体衬底顶面上的，第一导电类型的外延层，其特征在于，所述的外延层包括重掺杂的表面屏蔽区，其位于轻掺杂的电压闭锁区上方；一个与第一导电类型相反的第二导电类型的本体区，一个第一导电类型的源极区以及一个沉积在表面屏蔽区顶面附近的栅极，一个沉积在半导体衬底底面上的漏极；多个形成在表面屏蔽区中的沟槽，其中所述沟槽内衬沟槽绝缘材料，并用导电沟槽填充材料填充，配置沟槽与表面屏蔽区上方的源极电极电接触，并且与源极区电接触；多个第二导电类型的掩埋掺杂区，其中每个所述的掩埋掺杂区都位于多个沟槽中的其中一个沟槽下方，并且其中掩埋掺杂区延伸的深度与表面屏蔽区的底面大致相同；以及一个或多个第二导电类型的电荷链接通路，沿多个沟槽的一个或多个沟槽壁，用于将掩埋掺杂区电连接到本体区。