| 发明名称 | 一种钕铁硼磁体的烧结工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种钕铁硼磁体的烧结工艺，其目的在于克服现有的钕铁硼磁体烧结工艺在烧结高温预烧阶段，存在费时而耗能，上层产品长时间处于低真空状态易使产品矫顽力下降的不足。本发明包括将钕铁硼磁体装载在料托上后放入真空烧结炉内，抽真空到0.5-0.05Pa后，升温到300℃-400℃，保温0.5-1.5小时进行一次放气，二次放气，最后升温到预定烧结温度进行恒温烧结，二次放气包括两个阶段，第一阶段：一次放气后升温到800℃，保温0.5-1小时；第二阶段：第一阶段结束后再升温到850℃，保温1.5-3小时。本发明在保证产品质量的前提下，大大缩短了二次放气阶段的保温时间，提高了生产效率，节约了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103578734A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310236083.X | 申请日期 | 2013.06.14 |
| 申请人 | 浙江东阳东磁有限公司 | 发明人 | 李润锋;吴宇飞;王军强 |
| 分类号 | H01F41/02(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I;H01F1/08(2006.01)I | 主分类号 | H01F41/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 主权项 | 一种钕铁硼磁体的烧结工艺，包括将钕铁硼磁体装载在料托上后放入真空烧结炉内，抽真空到0.5‑0.05Pa后，升温到300℃‑400℃，保温0.5‑1.5小时进行一次放气，一次放气后进行二次放气，最后升温到预定烧结温度进行恒温烧结，其特征在于：所述二次放气包括两个阶段，第一阶段：一次放气后升温到800℃，保温0.5‑1小时；第二阶段：第一阶段结束后再升温到850℃，保温1.5‑3小时。 | ||
| 地址 | 322118 浙江省金华市东阳市横店镇工业区 | ||