一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法

摘要

本发明涉及材料技术领域，具体涉及一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：（1）根据需求选择合适的绝缘衬底；（2）对绝缘衬底的表面和/或待转移至绝缘衬底的体材料的表面进行活化处理；（3）将绝缘衬底与体材料进行表面接触，施加外物理场使二维薄膜材料从体材料表面剥离下来，覆盖到绝缘衬底的表面。使用本发明制备的二维薄膜材料铺展均匀，并可避免多次转移以及中间层材料造成的缺陷以及环境污染等问题。同时，本发明与硅基器件大规模制造工艺通融，可使高性能二维薄膜材料器件的制造研发沿用大规模平面印刷工艺，工艺流程简单可控，重复性好，可用于自动化宏量生产。

主权项

一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）根据需求选择合适的绝缘衬底；（2）对所述绝缘衬底的表面和/或待转移至所述绝缘衬底的体材料的表面进行活化处理；（3）将所述绝缘衬底与所述体材料进行表面接触，施加外物理场使二维薄膜材料从所述体材料表面剥离下来，覆盖到所述绝缘衬底的表面。