| 发明名称 | 包含消除应力层的半导体器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包含消除应力层的半导体器件及制造方法。该半导体器件包括具有单晶半导体本体的主体。分层结构直接毗连主体的主表面的中心部分，并且包括硬电介质层，该硬电介质层由具有大于10GPa的杨氏模量的第一电介质材料设置。消除应力层直接毗连与主体相对的分层结构并且延伸到所述分层结构的外部边缘之外。提供距所述主体的边缘的一段距离的所述分层结构并且用消除应力层覆盖该分层结构的外表面，增强了器件可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN103579304A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310349361.2 | 申请日期 | 2013.08.12 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 彼得·内勒;于尔根·霍尔茨米勒;乌韦·施马尔茨鲍尔;马库斯·曾德尔 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：主体，包括单晶半导体本体；分层结构，直接毗连所述主体的主表面的中心部分，并且包括硬电介质层，所述硬电介质层包含具有大于10GPa的杨氏模量的第一电介质材料；以及电介质消除应力层，直接毗连与所述主体相对的所述分层结构并且延伸到所述分层结构的外部边缘之外。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||