发明名称 |
嵌入式锗硅工艺中静态随机存储器及写入冗余度改善方法 |
摘要 |
一种嵌入式锗硅工艺中静态随机存储器,包括:硅基衬底;NMOS器件;PMOS器件,PMOS器件之栅极设置在硅基衬底上,PMOS器件之源极区、漏极区分别设置在栅极两侧之硅基衬底内,且在源极区和漏极区中设置嵌入式锗硅;上拉晶体管,为PMOS半导体,上拉晶体管之栅极设置在硅基衬底上,上拉晶体管之源极区、漏极区分别设置在栅极两侧之硅基衬底内。本发明通过在PMOS器件的源极区、漏极区中设置内嵌式锗硅,增加所述PMOS器件沟道中的压应力,从而提高空穴迁移率;通过在上拉晶体管之源极区、漏极区内不设置内嵌式锗硅,使得上拉晶体管在沟道方向上的压应力减小,降低载流子迁移率,增大上拉晶体管等效电阻,进而提高了所述静态随机存储器写入冗余度。 |
申请公布号 |
CN103579243A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310491611.6 |
申请日期 |
2013.10.18 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
俞柳江 |
分类号 |
H01L27/11(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/11(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种嵌入式锗硅工艺中静态随机存储器,其特征在于,所述嵌入式锗硅工艺中静态随机存储器包括:硅基衬底,并在所述硅基衬底内间隔设置用于电气隔离的浅沟槽隔离;NMOS器件,设置在所述浅沟槽隔离之间,所述NMOS器件之栅极设置在所述硅基衬底上,所述NMOS器件之源极区、漏极区分别设置在所述栅极两侧之硅基衬底内;PMOS器件,设置在所述浅沟槽隔离之间,所述PMOS器件之栅极设置在所述硅基衬底上,所述PMOS器件之源极区、漏极区分别设置在所述栅极两侧之硅基衬底内,且在所述PMOS器件之源极区和漏极区中设置嵌入式锗硅;上拉晶体管,所述上拉晶体管为PMOS半导体,并设置在所述浅沟槽隔离之间,所述上拉晶体管之栅极设置在所述硅基衬底上,所述上拉晶体管之源极区、漏极区分别设置在所述栅极两侧之硅基衬底内。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 |