用于以激光及等离子体蚀刻切割基板的多层掩模

摘要

一种切割具有多个IC的基板的方法。一种方法包括形成多层掩模，该多层掩模包含位于半导体基板上的可溶于溶剂中的第一掩模材料层及位于该第一掩模材料层上的不溶于该溶剂中的第二掩模材料层。使用激光划线工艺对该多层掩模进行图案化以提供具有间隙的图案化掩模。图案化暴露基板介于IC之间的区域。随后，利用第二掩模材料层保护第一掩模材料层免受至少一部分等离子体蚀刻，对该基板进行等离子体蚀刻至贯穿图案化掩模中的间隙，以单体化IC。在单体化之后溶解可溶材料层以去除多层掩模。

主权项

一种切割包含多个IC的基板的方法，所述方法包括：在所述基板上形成多层掩模，所述多层掩模覆盖所述IC，所述多层掩模包含位于所述IC的顶表面上的第一掩模材料层以及位于所述第一掩模材料层上的第二掩模材料层；使用激光划线工艺对所述掩模进行图案化，以提供具有间隙的图案化掩模，而暴露所述基板介于所述IC之间的区域；等离子体蚀刻所述基板至贯穿所述图案化掩模中的所述间隙以单体化所述IC，其中所述第二掩模材料层保护所述第一掩模材料层在蚀刻工艺的至少一部分内免于暴露至所述等离子体；以及针对所述IC的所述顶表面选择性地去除所述第二掩模材料层。