一种MOSFET并联电路布局

摘要

本发明涉及一种MOSFET并联电路布局，具体的说是一种基于单层铝基板的功率MOSFET三相并联电路，主要用于电机驱动系统，这种电路基于单层铝基板的三相MOSFET并联电路，包括：在单层铝基板上，由下至上分成3个区域，分别是U、V、W相区域，每个区域由上管并联MOSFET模组和下管并联MOSFET模组构成，整个三相并联电路共有6排平行的并联MOSFET模组，每一排模组中包括n个MOSFET。本发明这种电路布局是在传统铝基板上，通过专门设计的电路布局，可以以较小的板面积提供较大的功率密度和良好的热均衡性。

主权项

一种MOSFET并联电路布局，其特征在于包括：在单层铝基板上，由下至上分成3个区域分别是U、V、W相区域，每个区域由上管并联MOSFET模组和下管并联MOSFET模组构成；整个三相并联电路共有6排平行的并联MOSFET模组，每一排模组中包括n个MOSFET，其中n≥1；6排并联MOSFET模组将单层铝基板分成7个电流汇流区，从下至上分别为U相下管源极汇流区、U相上管源极与U相下管漏极汇流区、U相和V相上管漏极汇流区35、V相上管源极与下管漏极汇流区、W相与V相下管源极汇流区、W相上管源极与下管漏极汇流区、W相上管漏极汇流区；在W相上管漏极汇流区、U相和V相上管漏极汇流区分别布置有正极电流输入接口，在U相下管漏极汇流区、V相上管源极与下管漏极汇流区分别布置有负极电流输出接口；在U相上管源极与U相下管漏极汇流区、V相上管源极与下管漏极汇流区、W相上管源极与下管漏极汇流区分别布置有交流输出接口。