| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括在工件上方的第一金属化层中形成第一导电结构，第一导电结构包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分。第二宽度不同于第一宽度。方法包括在与第一金属化层相邻的第二金属化层中形成第二导电结构，并且将第二导电结构的部分连接至第一导电结构的第一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN103579096A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310294063.8 | 申请日期 | 2013.07.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘之敬;陈硕懋;叶德强;侯上勇;郑心圃 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在工件上方的第一金属化层中形成第一导电结构，所述第一导电结构包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分，所述第二宽度不同于所述第一宽度；在与所述第一金属化层相邻的第二金属化层中形成第二导电结构；以及将所述第二导电结构的一部分连接至所述第一导电结构的第一部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||