监测芯片内部电位的聚焦离子束方法

摘要

本发明公开了一种监测芯片内部电位的聚焦离子束方法，包括：步骤1、对芯片做表面处理；步骤2、用聚焦离子束暴露出需要做桥联的监测节点A；步骤3、通过版图检查，找出距离所述监测节点A最近的不相关焊盘B点位置并将所述监测节点A和所述焊盘B进行桥联；步骤4、实现所述监测节点A和所述焊盘B之间桥联以后，采用聚焦离子束切除焊盘B的负载，使所述焊盘B处于浮空状态；步骤5、进行打线操作，把所述焊盘B引至封装端并连接到测试仪，进行动态信号或者多通道信号测量。本发明能在现有调查中推进使用，可以小成本快速排除设计问题或者工艺问题。

主权项

一种监测芯片内部电位的聚焦离子束方法，其特征在于，包括：步骤1、对芯片做表面处理；步骤2、用聚焦离子束暴露出需要做桥联的监测节点（A）；步骤3、通过版图检查，找出距离所述监测节点（A）最近的不相关焊盘（B）点位置并将所述监测节点（A）和所述焊盘（B）进行桥联；步骤4、实现所述监测节点（A）和所述焊盘（B）之间桥联以后，采用聚焦离子束切除焊盘（B）的负载，使所述焊盘（B）处于浮空状态；步骤5、进行打线操作，把所述焊盘（B）引至封装端并连接到测试仪，进行动态信号或者多通道信号测量。