| 发明名称 | 存储单元及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储单元及其形成方法，该存储单元包括：衬底；自组装单分子层，自组装单分子层位于衬底之上，自组装单分子层邻近衬底的一侧含有硅氧基，自组装单分子层远离衬底的一侧含有氨基；和石墨烯薄膜，石墨烯薄膜位于自组装单分子层之上。本发明的存储单元具有透明度高，柔性可弯曲的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103579255A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310503602.4 | 申请日期 | 2013.10.23 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 吕宏鸣;吴华强;黄灿;钱鹤 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种存储单元，其特征在于，包括：衬底；自组装单分子层，所述自组装单分子层位于所述衬底之上，所述自组装单分子层邻近所述衬底的一侧含有硅氧基，所述自组装单分子层远离所述衬底的一侧含有氨基；和石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜位于所述自组装单分子层之上。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||