发明名称 氧化铈抛光粉及其制备方法
摘要 本发明公开了一种氧化铈抛光粉。氧化铈的纯度CeO2/TREO≥99.95%;氧化铈为晶型为单相立方晶系的CeO2粉末;氧化铈的形貌为圆饼状,平均粒径为1μm。还公开了其制备方法,包括氯化铈水溶液的制备、沉淀、脱水、焙烧、粉碎等。与现有制备方法相比,本发明制备的抛光粉为氧化铈抛光粉,在制备过程中无需引入F,具有工艺简单,成本低,无废水的优点;氧化铈抛光粉对制品的抛光过程中无划伤、抛光精度高等优点。
申请公布号 CN103571334A 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201310542032.X 申请日期 2013.11.05
申请人 上海华明高纳稀土新材料有限公司 发明人 赵月昌;高玮;陈曦;蒙素玲;郝祥;杨筱琼
分类号 C09G1/02(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I;C01F17/00(2006.01)I 主分类号 C09G1/02(2006.01)I
代理机构 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人 左祝安
主权项 氧化铈抛光粉,其特征在于,氧化铈的纯度CeO2/TREO≥99.95%;氧化铈为晶型为单相立方晶系的CeO2粉末;氧化铈的形貌为圆饼状,平均粒径为1μm。 
地址 201613 上海市松江区中辰路128号1幢1层B区