发明名称 |
一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路及仿真方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路及其仿真方法。本发明的一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路,包括PMOS管,其特征在于,所述PMOS管的漏极与可变电压源Vnh连接、衬底与固定电压源VHV连接、栅极与源极接地。本发明的有益效果为,高压PMOS管的源级与衬底之间的电势差始终为固定的应用高压电源电压VHV,该电势差大小等于衬底所加固定电压值,本发明提供的SOI高压PMOS管击穿电压仿真电路及方法弥补了常规仿真电路及测试方法中SOI高压PMOS管的源级与衬底之间的电势差随漏极所加电压Vnh变化而变化这一缺陷,与实际应用中SOI高压PMOS管的情况更加符合。本发明尤其适用于SOI高压PMOS器件的仿真。 |
申请公布号 |
CN103579352A |
申请公布日期 |
2014.02.12 |
申请号 |
CN201310602790.6 |
申请日期 |
2013.11.22 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
乔明;何逸涛;张康;代刚;吴文杰;张波 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;G05B17/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 |
代理人 |
李顺德;王睿 |
主权项 |
一种用于SOI高压PMOS器件的仿真电路,包括PMOS管,其特征在于,所述PMOS管的漏极与可变电压源Vnh连接、衬底与固定电压源VHV连接、栅极与源极接地。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |