偏压温度不稳定性测试电路及其测试方法

摘要

本发明揭示了一种偏压温度不稳定性测试电路，该电路包括：环形回荡器电路，所述环形振荡器电路包括n级测试电路，每级测试电路的结构相同，每一测试电路包括第一节点、第二节点和第三节点，每一测试电路的第三节点与其前一测试电路的第一节点相连；其中每一测试电路包括互补的待测PMOS管和待测NMOS管、互补的开关PMOS管和开关NMOS管以及至少一对互补的分压PMOS管和分压NMOS管。本发明还揭示了一种偏压温度不稳定性测试电路的测试方法，包括提供所述偏压温度不稳定性测试电路；测试待测PMOS管的负偏压温度不稳定性；测试待测NMOS管的正偏压温度不稳定性。本发明的偏压温度不稳定性测试电路，能够测试PMOS管的负偏压温度不稳定性和NMOS管的正偏压温度不稳定性。

主权项

一种偏压温度不稳定性测试电路，包括：环形回荡器电路，所述环形振荡器电路包括n级测试电路，每级测试电路的结构相同，每一测试电路包括第一节点、第二节点和第三节点，每一测试电路的第一节点与其前一测试电路的第三节点相连，n为正整数；其中每一测试电路包括互补的待测PMOS管和待测NMOS管、互补的开关PMOS管和开关NMOS管以及至少一对互补的分压PMOS管和分压NMOS管，且所述待测PMOS管的源极接第一电压端、栅极接第一节点，所述待测NMOS管的源极接低电平、栅极接第一节点，所述开关PMOS管的源极接第一电压端、栅极接第二电压端、漏极接第三节点，所述开关NMOS管的源极接低电平端、栅极接第三电压端、漏极接地第三节点，所述分压PMOS管的漏极接第二节点、栅极接第四电压端、源极接所述待测PMOS管的漏极，所述分压NMOS管的漏极接第二节点、栅极接第五电压端、源极接所述待测NMOS管的漏极。