| 发明名称 | 半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括具有第一漂移区域的第一晶体管以及多个第二晶体管，每个第二晶体管都包括源区、漏区和栅电极。第二晶体管串联电耦合以便形成电耦合到所述第一晶体管的串联电路，所述第一晶体管和所述多个第二晶体管至少部分被设置在包括掩埋掺杂层的半导体衬底中，其中所述第二晶体管的源区或漏区被设置在所述掩埋掺杂层中。 | ||
| 申请公布号 | CN103579233A | 申请公布日期 | 2014.02.12 |
| 申请号 | CN201310333206.1 | 申请日期 | 2013.08.02 |
| 申请人 | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 | 发明人 | R.鲁道夫;T.施勒泽;R.魏斯 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马红梅;刘春元 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：具有第一漂移区域的第一晶体管，以及多个第二晶体管，每个第二晶体管都包括源区、漏区和栅电极，其中所述第二晶体管串联电耦合以便形成电耦合到所述第一晶体管的串联电路，所述第一晶体管和所述多个第二晶体管至少部分被设置在包括掩埋掺杂层的半导体衬底中，其中所述第二晶体管的源区或漏区被设置在所述掩埋掺杂层中。 | ||
| 地址 | 德国德累斯顿 | ||