发明名称 封装结构以及封装方法
摘要 本发明提供了一种封装方法以及封装结构,其中所述方法包括:提供半封装结构,包括压合的晶圆以及基板,所述晶圆相对于基板的背面形成有暴露部分芯片焊垫的V形沟槽;所述V形沟槽沿晶圆上相邻半导体芯片之间的切割线设置,并关于所述切割线对称;在晶圆背面形成第一绝缘掩模层;在V形沟槽的底部形成穿透第一绝缘掩模层以及芯片焊垫的通孔;在晶圆背面制作外引线、球下金属层以及焊接凸点,所述外引线的一端形成于通孔内,其至少覆盖通孔内壁露出的芯片焊垫,另一端通过球下金属层与焊接凸点电连通。本发明无需采用机械切割对V形沟槽进行半切,简化了工艺步骤,降低了工艺难度,所形成的封装结构简单,成本低廉易于生产制造的特点。
申请公布号 CN101964313B 申请公布日期 2014.02.12
申请号 CN201010257486.9 申请日期 2010.08.16
申请人 苏州晶方半导体科技股份有限公司 发明人 胡津津;杨红颖;刘渊非;张力兵;杨芹;王文龙;俞国庆;王蔚
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种封装方法,其特征在于,包括步骤:提供半封装结构,所述半封装结构包括压合的晶圆以及基板,所述晶圆相对于基板的背面形成有暴露部分芯片焊垫的V形沟槽;所述V形沟槽沿晶圆上相邻半导体芯片之间的切割线设置,并关于所述切割线对称,每条所述切割线对应1个V形沟槽,且所述V形沟槽同时暴露出沿切割线设置的2个芯片焊垫的部分表面;在所述晶圆背面形成第一绝缘掩模层,所述第一绝缘掩膜层覆盖V形沟槽的侧壁和底部;在所述V形沟槽的底部形成穿透第一绝缘掩模层以及V形沟槽底部两侧的芯片焊垫的通孔,使得所述通孔的孔径小于V形沟槽底部宽度的1/2,所述通孔形状为圆形,所述通孔成对地设置于切割线两侧;在所述晶圆背面制作外引线、球下金属层以及焊接凸点,所述外引线的一端形成于通孔内,其至少覆盖通孔内壁露出的芯片焊垫,另一端通过球下金属层与焊接凸点电连通,所述外引线与通孔内壁上暴露的芯片焊垫构成环形连接。
地址 215126 江苏省苏州工业园区星龙街428号苏春工业坊11B/C