一种用于功率装置击穿保护的栅漏箝位元和静电放电保护电路

摘要

一种位于半导体衬底上的半导体功率装置，由多个电晶体单元组成，每个电晶体单元都有一个源极、一个栅极以及一个控制源极和栅极之间电流传输的漏极。这种半导体还包括一个栅漏箝位元终端，串联在栅极和漏极之间，还包括多个背对背多晶矽二极体，串联在一个矽二极体上，在半导体衬底中，矽二极体含有平行掺杂纵栏，其中平行掺杂纵栏带有一个预设的缝隙。掺杂纵栏还包括一个U形弯管纵栏，将设置在U形弯管下方并包围U形弯管的深掺杂井，与平行掺杂纵栏末端连接在一起。