记忆胞的操作方法

摘要

一种记忆胞的操作方法。记忆胞具有位于电荷储存层中的第一储存区、第二储存区、第三储存区及第四储存区，且电荷储存层位于基底与字元线之间。第一储存区与第二储存区分别邻近基底的凸出部之一侧的下部及上部，以及第三储存区与第四储存区分别邻近基底的凸出部之另一侧的上部及下部，而第二储存区与第三储存区视为相同的上部储存区。此操作方法包括程式化上部储存区。首先，施加一个第一正电压至字元线。接着，施加一个第二正电压至位于突出部顶部中的顶部位元线。然后，分别施加一个底电压至位于突出部两侧的基底中的第一、第二底部位元线。