发明名称 发光二极体
摘要 本发明涉及一发光二极体,其包括:一基底;一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底之一侧,且所述第一半导体层靠近基底设置;一第一电极与所述第一半导体层电连接;一第二电极与所述第二半导体层电连接;其中,所述第二半导体层进一步包括复数三维奈米结构以阵列形式设置于第二半导体层之远离基底的表面,且所述三维奈米结构为阶梯状结构。
申请公布号 TWI426627 申请公布日期 2014.02.11
申请号 TW099119362 申请日期 2010.06.15
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 朱振东;李群庆;范守善
分类号 H01L33/20 主分类号 H01L33/20
代理机构 代理人
主权项
地址 新北市土城区自由街2号