发明名称 一种应用于功率切换器电路的半导体封装结构
摘要 一种应用于功率切换器电路的半导体封装结构,将两个MOSFET晶片堆叠连接形成功率切换器,并水平或垂直的在同一封装中封装一旁路电容;更可在该同一封装中还设置一PIC晶片以形成DC-DC转换器。本发明所提供的半导体封装结构,使得该旁路电容的设置最靠近MOSFET晶片,产生的寄生电感最小,从而在有效提高功率切换器或DC-DC转换器性能的同时,也有效减少了整个半导体封装结构的尺寸。
申请公布号 TWI426595 申请公布日期 2014.02.11
申请号 TW099105814 申请日期 2010.03.01
申请人 万国半导体有限公司 美国 发明人 薛彦讯;叭剌 安荷;鲁军
分类号 H01L27/04;H01L23/12;H01L23/495 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项
地址 美国