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发明名称
一种应用于功率切换器电路的半导体封装结构
摘要
一种应用于功率切换器电路的半导体封装结构,将两个MOSFET晶片堆叠连接形成功率切换器,并水平或垂直的在同一封装中封装一旁路电容;更可在该同一封装中还设置一PIC晶片以形成DC-DC转换器。本发明所提供的半导体封装结构,使得该旁路电容的设置最靠近MOSFET晶片,产生的寄生电感最小,从而在有效提高功率切换器或DC-DC转换器性能的同时,也有效减少了整个半导体封装结构的尺寸。
申请公布号
TWI426595
申请公布日期
2014.02.11
申请号
TW099105814
申请日期
2010.03.01
申请人
万国半导体有限公司 美国
发明人
薛彦讯;叭剌 安荷;鲁军
分类号
H01L27/04;H01L23/12;H01L23/495
主分类号
H01L27/04
代理机构
代理人
蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项
地址
美国
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