用于制造一半导体装置的方法

摘要

本发明提供一种半导体装置制造设备，其包含：一腔室，其包含一反应空间；一基板安置单元，其经组态以在该腔室内安置一基板；一第一加热单元，其经组态以用光学方式加热该反应空间且安置在该腔室下方；一第二加热单元，其经组态以藉由电阻性加热来加热该反应空间且安置在该腔室上方；及一电浆产生单元，其经组态以在该反应空间中产生电浆。由于该设备使用安置在该腔室上方之该电浆产生单元产生该电浆，因而可在一个单一腔室中同时执行基于加热之沈积制程及基于电浆之蚀刻制程。