发明名称 薄膜电晶体与其制法
摘要 一种薄膜电晶体的制造方法,包含:提供一基板;形成一图案化的第一导电层于基板上;形成一有机绝缘层于第一导电层与基板上;形成一种子层于有机绝缘层上,上述种子层系作为长晶中心;形成一无机半导体层于种子层上;形成一图案化的第二导电层于无机半导体层上。
申请公布号 TWI426566 申请公布日期 2014.02.11
申请号 TW098137513 申请日期 2009.11.05
申请人 国立台湾大学 台北市大安区罗斯福路4段1号 发明人 林清富;李俊育
分类号 H01L21/336;H01L21/314;H01L29/786 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 陈达仁 台北市中山区长春路156号5楼
主权项
地址 台北市大安区罗斯福路4段1号