杂讯抑制配线构件及其制造方法

摘要

本发明系有关一种杂讯抑制配线构件及该杂讯抑制配线构件之制造方法，该杂讯抑制配线构件系具备：铜箔；杂讯抑制层，其包含金属材料或导电性陶瓷，厚度为5至200nm；有机高分子薄膜；以及绝缘性接着层，其中该绝缘性接着层系设置在设于杂讯抑制层上之有机高分子薄膜与铜箔间，或者是设置在设于有机高分子薄膜上之杂讯抑制层与铜箔间。