发明名称 |
用于低寄生阻抗封装的顶部焊料加强的半导体装置及方法 |
摘要 |
本发明提出一种用于低寄生阻抗封装的顶部焊料加强的半导体器件及方法。该顶部焊料器件包括带有图案化为接触区域和接触加强区域的顶部金属层的器件晶片。至少一个接触区域电连接到至少一个接触加强区域。每一个接触加强区域的顶部为用以增加复合厚度从而降低寄生阻抗的焊料层。制造顶部焊料器件的方法包括:a)通过光刻将顶部金属层图案化为接触区域和接触加强区域;b)使用范本印刷工艺在每一个接触加强区域的顶部形成焊料层以增加复合厚度。本发明的优点在于所提供的器件和方法使用标准的晶片层级的加工工艺,可以有效降低成本。 |
申请公布号 |
TWI426589 |
申请公布日期 |
2014.02.11 |
申请号 |
TW097137618 |
申请日期 |
2008.09.30 |
申请人 |
万国半导体股份有限公司 美国 |
发明人 |
弗兰茨娃 赫尔伯特;安荷 叭剌;刘凯;孙明 |
分类号 |
H01L23/495;H01L23/48;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L23/495 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |