| 摘要 |
本发明提供一种用于监视至少一半导体晶圆(4)在一湿蚀刻装置(5)内之薄化过程的监视装置(12)，其中，该监视装置(12)具有一光源(14)，此光源适于发射某一光波带之同调光，此光波带可光学透射该半导体晶圆(4)。该监视装置(12)另具有一测量头(13)，此测量头以非接触方式相对于该半导体晶圆(4)之欲蚀刻表面布置，其中，该测量头(13)适于以该光波带之同调光照射该半导体晶圆(4)且适于接收一被该半导体晶圆(4)反射的辐射(16)。该监视装置(12)更具有一光谱仪(17)及一分光器，此分光器适于向该测量头(13)传递该光波带之同调光以及向该光谱仪(17)传递该反射辐射。该监视装置(12)进一步具有一分析单元(18)，其中，该分析单元(18)适于在该半导体晶圆(4)薄化过程中以选自以下群组的方法根据被该半导体晶圆(4)反射的辐射(16)为该半导体晶圆(4)测定一厚度d(t)：1D-se FDOCT技术，1D-te EDOCT技术及1D-se TDOCT技术。 |
