| 摘要 |
1. Способ структурирования как минимум одной области поверхности твердого тела, имеющего покрытие из твердого материала, посредством лазера, имеющего длительности импульса на уровне нано, пико или фемтосекунды, характеризующийся тем, что посредством первого лазера, имеющего продолжительность импульса, измеряемой наносекундами, создают первую структуру, на которую накладывают вторую рифленую структуру посредством второго лазера с продолжительностью импульса, измеряемого в пико- или фемтосекундах.2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что, первую структуру создают согласно технологии проекции шаблона, а вторую структуру согласно технологии фокусировки.3. Способ по п.1, характеризующийся тем, что покрытие из твердого материала состоит из ta-C, карбида вольфрама (WC), карбида бора (BC), карбида кремния (SiC) или аналогичных твердых металлов.4. Способ по п.3, характеризующийся тем, что между слоем ta-C твердого материала и расположенным ниже материалом расположен слой из карбида вольфрама с толщиной между 50 и 300 нм.5. Способ по п.1, характеризующийся тем, что создание первой и/или второй структур производят путем наложения множества микроструктур, при этом налагаемые структуры создают под углом (α) по отношению к наложенным структурам, или они имеют иную ориентацию.6. Способ по п.1, характеризующийся тем, что для создания первой структуры посредством первого лазера, используют шаблон в гомогенном пятне (HS) оптической системы, а затем используют диафрагму, расположенную напротив оптики отображения, для создания второй структуры, при этом используют поляризатор, установленный между лазером с продолжительностью импульса, измер |
