发明名称 Integriertes System und Verfahren zum Herstellen des integrierten Systems
摘要 Es werden ein System und Verfahren zum Herstellen eines Systems offenbart. Eine Ausführungsform des Systems enthält: eine erste gekapselte Komponente, die eine erste Komponente und eine erste Umverdrahtungsschicht (RDL – Redistribution Layer) umfasst, auf einer ersten Hauptoberfläche der ersten gekapselten Komponente angeordnet, wobei die erste RDL erste Pads umfasst. Das System enthält weiterhin: eine zweite gekapselte Komponente, die eine an einer ersten Hauptoberfläche der zweiten gekapselten Komponente angeordnete zweite Komponente aufweist, wobei die erste Hauptoberfläche zweite Pads aufweist, und eine Verbindungsschicht zwischen der ersten gekapselten Komponente und der zweiten gekapselten Komponente, wobei die Verbindungsschicht eine erste Mehrzahl der ersten Pads mit den zweiten Pads verbindet.
申请公布号 DE102013108352(A1) 申请公布日期 2014.02.06
申请号 DE201310108352 申请日期 2013.08.02
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 KILGER, THOMAS
分类号 H01L23/50;H01F27/28;H01L21/60 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
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