| 发明名称 |
METHOD OF MAKING DOPED GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3660312(A) |
申请公布日期 |
1972.05.02 |
| 申请号 |
USD3660312 |
申请日期 |
1960.03.21 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INC. |
发明人 |
ROWLAND E. JOHNSON;EDWARD W. MEHAL |
| 分类号 |
C30B11/00;H01L21/00;H01L29/00;(IPC1-7):H01B1/06;H01L3/20 |
主分类号 |
C30B11/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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