Integrierter Halbleiterschaltkreis mit Metall-Gate

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterschaltkreises (IC) offenbart. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Halbleitersubstrates und das Ausbilden eines Gate-Grabens darin. Das Verfahren umfasst ebenso das Füllen des Gate-Grabens teilweise mit einem Austrittsarbeits(WF)-Metallstapels, und das Auffüllen des verbleibenden Gate-Grabens mit einem Dummy-Füllmaterial (DFM) über dem WF-Metallstapel. Ein Sub-Gate-Graben wird durch Zurückätzen des WF-Metallstapels in dem Gate-Graben ausgebildet und mit einer Nichtleiterabdeckung gefüllt, um einen Isolationsbereich in dem Gate-Graben auszubilden. Das DFM wird vollständig entfernt, um einen MG-Mittengraben (MGCT) in dem Gate-Graben auszubilden, welcher mit einem Füllmetall gefüllt wird.