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Verfahren zur Bestimmung von Verunreinigungen in Silicium, umfassend die Schritte – Abscheiden von polykristallinem Silicium auf wenigstens einem mittels einer Elektrode mit Strom versorgten und durch direkten Stromdurchgang erhitzten Filamentstab durch Einleiten von Reaktionsgas enthaltend eine Silicium enthaltende Komponente in einen CVD-Reaktor, wobei eine Bodenplatte des CVD-Reaktors, auf dem die wenigstens eine Elektrode zur Stromversorgung des wenigstens einen Filamentstabs angeordnet ist, mit einer Abdeckung aus Silicium mit definiertem Dotierstoffgehalt abgedeckt ist, wobei der Gehalt von Bor kleiner oder gleich 10 ppta und der Gehalt von Phosphor kleiner oder gleich 20 ppta beträgt; – Erzeugung eines Stabs aus einkristallinem Silicium aus dem abgeschiedenen polykristallinen Siliciumstab mittels Zonenziehen; – Untersuchung des einkristallinen Siliciumstabs auf Verunreinigungen mittels Photolumineszenzmessungen. |
